行业产业链消息传出,三星已向多家下游厂商发送口头调价通知,计划 2026 年第三季度将通用 DRAM 产品报价上调 20%,多位业内资深人士确认该涨价消息属实,存储行业新一轮涨价周期正式启动。
本轮涨价核心逻辑来自供需格局持续反转。此前存储行业经历长时间产能过剩、价格持续下行,头部厂商持续削减传统存储扩产资本开支,供给收缩叠加 AI 算力带来海量存储增量需求,供需缺口逐步扩大。
三星近期单季度利润同比大幅增长 18 倍,库存去化进度超预期,企业具备充足调价底气。
涨价影响将沿产业链逐层传导,首先波及消费级内存、服务器通用 DRAM,再向上传导至高端 HBM 高带宽存储。
当前全球 AI 集群建设持续提速,每一代高端 GPU 配套 HBM 搭载容量持续提升,算力服务器存储用量相比往年翻倍增长,DRAM 涨价将直接抬高整机硬件生产成本。
中小算力服务商承压明显,前期锁存长协订单较少的企业,后续新增服务器采购成本将同步上浮,高端训练算力租赁定价底部获得支撑;头部云厂商、大型算力运营商提前锁定全年存储产能,成本端受涨价冲击相对有限,行业成本分化格局进一步加剧。
国内存储产业链同步迎来机遇,国产 DRAM、HBM 封装配套企业订单持续饱满,海外存储涨价为本土存储产品打开价格与替代空间,存储芯片、存储模组、算力配套内存赛道景气度同步上行。
机构分析,本次 DRAM 涨价并非短期波动,供需偏紧格局将延续至年末,算力硬件成本中枢持续上移,存量自有算力集群资产价值有望持续重估。
三星 DRAM 涨价落地,存储成本上行带动算力硬件价格中枢抬升。

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